Novel EEPROM

综合EEPROM的可靠性及可以页面多字节擦写的中容量NOR Flash的特性，以内存控制器进行字节级的写入操作，再加上PCM写入之前不需要擦除的特性。可以结合EEPROM与NOR Flash各自的优势，制造出低功耗、高速率的、高可靠性的Novel EEPROM产品。

Novel EEPROM的优势

1）兼具EEPROM可靠性及NOR Flash的容量 
2）数据存储在Novel EEPROM中，提高数据传输速率 
3）整合存储架构，降低BOM成本（Bill of Materials） 
4）低功耗能延长使用电池的应用，如IoT，的充电间隔加长

AMT在Novel EEPROM解决方案的积累：

1）第一代产品溥元611（EEPROM）完全验证了逻辑电路及嵌入式存储之间工艺的兼容性 
2）存储单元的稳定性得到证实（Reliability and Endurance） 
3）良率大于85+%

2015-2023 年全球NOR Flash 市场规模及预测

资料来源：中金企信国际咨询