核心团队 Core Team






张龙 | AMT&AMS董事长

中国法律院校本科毕业,从事十余年律师专业工作,现为江苏时代全芯存储科技股份有限公司暨江苏时代芯存半导体有限公司董事长,具有丰富公司管理经验,专业的律师背景以及多年与国外公司合作的经历,2004年始,致力公司成为以科技产业为主业的集团公司,集团公司正逐渐以半导体存储芯片为核心,期许为国家打造具有全球竞争力的集成电路公司。



谢明 院士 | AMT董事

南加州大学电机硕士

成立Cogent Systems公司,Fulgent Therapeutics

南加州大学的董事会董事

美国国家工程学院院士。






邢猛 董事 | AMT董事/AMS常务副总经理

南京理工大学机械工程学士

负责AMS芯片工厂建设和管理

历任北京德信无线有限公司总部生产总监, 北京德信无线有限公司沈阳工厂总经理, 及北京天地融科技有限公司总经理。



曾邦助 Ben Tseng 博士 | AMT副董事长/AMS总裁(CEO

-台湾大学电机系学士

-美国南卡罗来纳大学电机博士

-美国圣塔克拉拉大学电机系教授及客座教授

-先后任职美国AMD公司研发经理

-台湾力晶半导体公司研发副总

-台湾东元集团董事会资深技术顾问

-台湾剑度公司董事会首席技术顾问

-台湾茂德科技公司市场行销总经理兼发言人

-日本凸版印刷株式会社资深技术顾问、时代全芯股份有限公司

-时代芯存半导体有限公司首席执行官,时代全芯股份有限公司执行副总

-台湾半导体产业协会(TSIA)理事

-台湾科学园区同业工会理事。





蔡明宪 常务副总经理 AMS常务副总经理

台湾逢甲大学毕业

1996年起在台湾新竹科学园区的MOSELPROMOS上市半导体公司任职逾20年,熟稔半导体12吋晶圆厂运作,对于工艺技术、生产制造具有纯熟的管理经验

现负责AMS Fab芯片工艺技术及生产的制造和管理。







林仲汉 Chung H. Lam 博士 AMT首席技术总裁(CTO)

Chung H.Lam博士于1978年获得纽约理工大学学士学位,并分别于1987及1988年获得壬色列理工学院电子工程硕士及博士学位,自1978年起加入IBM公司,任职于IBM微电子部门,负责多项半导体领域,包含电路及元件设计的研究、发展及制造,同时参与记忆体及逻辑应用的制程整合。自2003起, Chung调任IBM华生研究中心,2007年荣登IBM杰出工程师,自离开IBM后担任江苏时代全芯存储科技股份有限公司首席技术总裁(CTO)。 

    Chung H.Lam为国际电机电子学会非辉发性记忆体研讨会( IEEE Non-volatile Memory Workshop)、国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会(VLSI-TSA)、国际电子元件技术记忆体技术研讨会( IEDM Memory Technology)之技术委员。目前他参与中国国际半导体技术大会(CSTIC)及国际半导体技术发展路线图制程整合及元件架构(ITRS PIDS)之技术委员会,自2004年起, Chung管理华生研究中心相变型记忆体共同计划,截至目前己经获得超过250篇美国专利及发表超过65篇技术论文。



邹晔伯 博士 | AMT董事知识产权副总经理

加利福尼亚大学洛杉矶分校(UCLA)物理有机化学博士

先后在IBM微电子半导体厂、技术发展与制造项目、系统和技术集团商务解决方案、 E&TS全球化学和石油、能源和公用事业和分销行业等部门和领域担任总监、副总裁等领导职务。

在加入AMT之前,任IBM大中华区技术联盟及知识产权总经理。


杨剑辉 董事 | AMT董事

台湾大学电机工程系学士、美国麻省理工学院管理学院硕士、上海华东师范大学文学硕士

美国GE通用电气公司国际业务副总裁

新加坡新华投资有限公司执行董事。


李镇浜 总监 | AMT财务总监(CFO

毕业于英国布拉德福德大学,具有香港注册会计师资格

2007年担任HLB Hogson Impey Cheng Limited高级审计,2012年担任Neo Concept Limited 财务经理,

2014年担任香港世峰科技有限公司财务总监,

2016年担任江苏时代全芯存储科技股份有限公司的财务总监。



庄豪仁 博士 AMT新技术开发副总经理

1982年上海科技大学工学学士,1991年中国科学院及日本京都大学材料科学愽士

先后在TDK基础材料研究所、Fire-RiteInfineon TechnologyIntelIBMGF

就职AMT以前,多年从事7nm/14nm/28nm/32nm研发工作

发表的专利及科技论文超过100

现负责3D PCM开发


Wolfgang Hokenmaier AMT US 研发中心总裁

1994年毕业于德国斯图加特大学电子工程系硕士

1997年以工程师职务进入西门子公司任职。2001年进入半导体生产商QIMONDA/INFINEON(美国),先后担任高级工程师和设计团队总监并兼任知识产权协调员

拥有16年半导体产品尤其是内存产品设计经验,曾参与IBM/Siemens联合项目,担任DRAM技术转移中国的项目领导

2014年担任时代全芯产品设计副总和美国研发中心总裁,为公司设计出第一颗PCM技术基础的NOR


王建群 副总经理 AMT产品设计副总经理

毕业于美国阿肯色大学电子工程系,加州大学圣芭芭拉分校电机硕士

毕业后任职于多个知名国际公司TI, LSI Logic,及AMD等,参与并负责芯片的开发

2003年回到国内加入苏州旺宏电子负责多媒体芯片开发,2006年与合伙人创建苏州硅涌科技并成功开发多款MP3主控芯片

2012年加入时代全芯带领北京团队设计PCM产品。现担任产品设计副总经理,统筹负责产品开发及设计团队的指挥工作。


朱煜 博士 AMS总裁执行助理

-   美国纽约州立大学博士。

-   于IBM T.J. Watson Research Center. 任职12年,专注于ALD,CVD,PVD和电镀工艺开发与集成。负责关键项目开发的材料分析工作,包括 22nm PDSOI,14nm SOI FinFET,ETSOI,BulkFin,PCM,MRAM,RRAM,CNT在内的专案项目。获得20项美国专利,在《自然》《科学》,IEDM,VLSI等期刊会议上发表论文60余篇。

-   台湾积体电路TSMC,担任部经理,负责全公司,特别是7,5,3纳米技术开发的TEM材料分析支持





陈介方 首席技术官 | AMS首席技术官

台湾清华大学材料科学及工程硕士

在旺宏电子任职期间,先后参与IBM T. J. Watson Center,负责Pre-T0技术开发,熟悉FEOL,MOL和BEOL工艺集成,模块(PC,间隔,切片,SAC等)开发和物理故障分析。建立PCM的可靠性模型,显着提高设备性能,论文发表在IMW 2009。为设备应用建立PCM / OTS材料的选择原则。领导3D NAND Production芯片的逻辑流程团队,初始化完整的产品流程,专研污染和缺陷问题。


张明丰副总经理 | AMS技术开发副总经理

中兴大学材料研究所硕士

先后担任台湾MOSELProMOS、晶元光电、及力晶科技技术开发部技术经理、具有20年半导体技术开发及工艺整合专业的经验

现任技术开发部暨整合副总经理。