博士、首席科学家


美国University of New York，理工学士

美国Rensselaer Polytechnic Institute（RPI），电子工程硕士、博士

美国IBM华生研究中心，特聘工程师及杰出发明人

国际电机电子学会非辉发性记忆体研讨会（IEEE Non-volatile Memory Workshop），技术委员

国际超大型积体电路技术、系统暨应用研讨会（VLSI-TSA），技术委员

国际电子组件技术记忆体技术研讨会（IEDM Memory Technology），技术委员

2004年起，林仲汉博士管理IBM华生研究中心相变型记忆体共同计划，截至目前己获得超过 250篇美国专利，及发表超过65篇技术论文

2015年加入AMT

现任AMT首席科学家。

博士、董事兼Co-CEO

台湾大学电机工程学士，

美国University of South Carolina，电机工程硕士、博士

美国加州Santa Clara University，电子工程与计算机科学系教授，工程研究院客座讲师。

美国超微半导体AMD（Advanced Micro Devices），研发部经理。

台湾Powerchip Semiconductor，研发副总裁。

台湾TECO Group，董事会主席高级顾问。

台湾ProMOS Technology，销售及市场副总裁兼公司发言人。

日本TOPPAN Printing, 高级顾问

台湾半导体产业协会（TSIA），技术委员会主席。

台湾半导体产业协会，理事。

台湾科学园区科学工业同业公会，理事 。

2013年至今担任北京时代全芯存储技术股份有限公司董事兼Co-CEO，AMT科研院院士

设计工程副总经理

美国阿肯色University of Arkansas at Little Rock，电机工程学士学位

美国加州University of California, Santa Barbara，电机工程学硕士

美国德州达拉斯德州仪器Texas Instruments，数字工程师。

美国德州达拉斯LSI Logic Corporation，ASIC设计工程师

美国德州Chiaro Networks，高级ASIC设计工程师。

美国德州Syndiant, Inc.，设计经理

美国德州亚马逊，项目经理。

2012年加入AMT，现为AMT科研院院士，设计工程部副总经理。