产品规划 Products planning


本着易到难,从简到繁的开发理念,时代全芯制定了公司在中低密度产品, 高密度产品和神经网络智能存储三条产品线的发展策略(如下表1)。

 

1:时代全芯的未来产品规划


产品种类

2019年

溥元611(EEPROM)  NOR FLASH

2020年

大容量3D PCM高密度相变产品

2021年

TCAM

2022年

神经网络存储

 

如下是各存储产品的简介:

2: AMT存储产品简介

 


产品种类

产品简介

EEPROM

——基于相变材料的2兆位电擦除可编程只读相变存储器(EEPROM

产品概况和性能参数介绍:

---采用先进的40纳米CMOS工艺制程

---芯片尺寸1.96 mm2

---数据存储前无需进行擦除动作

---低功耗,工作电压1.8V-3.6V,静态工作电流1uA

---SPI接口,最大工作频率30MHz

---单页(256字节)写入时间小于2.5ms

 

产品可靠性参数介绍:

---产品耐擦写次数大于10^7

---强大的抗辐射性能

---25℃环境下数据保存时间可达100

---工作温度-40℃—+85℃

---2kV   ESD防静电保护能力

 

NOR FLASH

——基于相变材料的64兆位NOR FLASH相变存储器

---采用先进的40纳米CMOS工艺制程

---芯片尺寸13.74 mm2

---存储数据前无需进行擦除动作

---工作电压+1.8V—+3.6V

---Standard   SPIDual   SPI Quad   SPI接口,最大工作频率133MHz

 

产品可靠性参数介绍:

---产品耐擦写次数大于10^5

---强大的抗辐射性能

---25℃环境下数据保存时间20

---工作温度-40℃—+85℃

---2kV   ESD防静电保护能力

大容量3D PCM高密度相变产品

通过交叉节点的结构,实现PCM存贮器阵列的高密度集成。交叉节点(cross-point)结构的关键技术,选择器(selector)应用AMT特有的材料和工艺,目前工艺研发已取得阶段性成果。后续产品的研发已经展开,预计2020年开始样品的生产。

TCAM

三态内容寻址存储器 TCAM   (Ternary Content Addressable Memory)是一种新型存储器,与传统的存储器不同,TACM可依据内容对表内所有条目都可以并行访问,而非依据地址逐条访问。PCM为基础的TCAM具有占地面积小,功耗低的优点。在人工智能运算领域具有巨大潜力。

神经网络存储

基于神经网络的智能存储器(Smart Memory),应用PCM技术模拟人脑神经元之间突触(Synapse)的相互作用,从而可以使存储器阵列进行某种专项的逻辑运算。由于PCM技术具有非易失性,通过PCM实现的运算,功耗极低。将智能存储器应用与IoT的传感器上,可以有效的分担传感器对网络和云计算的负荷,从而进一步拓展物联网的功能。