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PCM在各行各业的应用中有极大的优势，以下优势1，优势2，和优势3是典型的例子供读者参考：

 

优势1： PCM通过热能的转变，使相变材料在低电阻结晶（导电） 状态与高电阻非结晶（非导电）状态间转换，拥有寿命长、功耗低、密度高、抗辐照特性好、读写速度快的技术特点。汽车行业越来越多地将PCM融入如高级驾驶辅助系统 (ADAS)、信息娱乐系统、导航系统和自动驾驶汽车，来支持处理和存储这些系统生成的大量数据。

链接：https://www.doit.com.cn/p/513283.html

 

优势2： PCRAM特点    

· 低延时、读写时间均衡：与NAND Flash相比，PCM在写入更新代码之前不需要擦除以前的代码或数据，故其速度比NAND有优势，读写时间较为均衡。    

· 寿命长：PCM读写是非破坏性的，故其耐写能力远超过闪存，用PCM来取代传统机械硬盘的可靠性更高。    

· 功耗低：PCM 没有机械转动装置，保存代码或数据也不需要刷新电流，故PCM的功耗比HDD，NAND，DRAM都低。    

· 密度高：部分PCM采用非晶体管设计，可实现高密度存储。    

· 抗辐照特性好：PCM存储技术与材料带电粒子状态无关，故其具有很强的抗空间辐射能力，能满足国防和航天的需求。

链接：https://www.dzsc.com/data/2021-05-26/125347.html

 

优势3： AI时代结构设计的变化影响了逻辑和存储。机器学习算法大量使用了矩阵乘法运算，而这些运算在通用逻辑中十分繁琐，这推动了加速器及存储器的发展。 性能和功耗在云计算和边缘计算应用场景中，SRAM和DRAM作为“工作内存”的一个主要缺点是，它们是易失的，需要持续供电来保存数据（比如权重）。 主要的新存储器候选是磁性随机存取存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）。这两种存储器都采用了新的材料，可以被设计成高电阻率和低电阻率，而高电阻率和低电阻率又分别代表0和1。 MRAM通过改变磁性方向来控制电阻率；PCRAM利用材料从无定形到结晶的排列变化。

 

 

PCARM：

云计算架构的主要候选者 因为PCRAM比DRAM提供更低的功耗和成本，并且比固态硬盘和硬盘驱动器具有更高的性能。 PCRAM甚至是铁电场效应晶体管（FeFETs）都是很好的选择，因为它们都有实现每单元存储多bit的潜力。

链接：https://new.qq.com/rain/a/20201202A0FS2Q00