2021年8月30日,美国著名电子技术类杂志《EE Times》发表文章,题为新型存储取代NOR和SRAM,及3D Xpoint成长的挑战 (Emerging Memories Look to Displace NOR, SRAM – 3D Xpoint’s growth won’t be without challenges.)

 

报道开篇指出:新型存储正蓄势待发,迎来新一波的成长高潮。

 

据权威分析机构预测,到2031年,新型存储将达到440亿美金的市场。新型存储将在MCU,ASIC甚至CUP里,以“独立”或“嵌入式”的形式,全面取代现有存储产品,包括NOR闪存,SRAM和DRAM。

 

相变存储PCM技术是新型存储的主要组成之一,代表产品是Intel基于相变存储技术的3D XPoint 存储器 – 傲腾/Optane。文章预测3D XPoint 年销售额可达到200亿美元,这和去年的一报道遥相呼应,将帮助PCRAM的成长同时,文章也指出了PCM成长所面临的挑战。

 

客观分析(Objective analysis)的主任分析师Jim Handy指出:目前Intel的傲腾是唯一的商业化产品,傲腾DIMM吸引人的地方在于它价格比DRAM便宜,根据Intel报道,每GB价格便宜近一半。根据权威分析机构预测,独立式存储器,年PB(petabyte – 1peta=1E15的出货量,PCM 3D XPoint将在2028年达到1E5 PB,和DRAM持平,并在未来超过DRAM。

 

当然,新型存储也包括MRAM,ReRAM等其他新型存储技术,文章对MRAM和ReRAM也有相关描述。新型存储对现有存储技术的替代是全方位的。文章的另一幅图表也再次强调,PCM将有效的填补和替代DRAM和NAND之间的差距。

 

 

原版英文文章可点击以下链接查看

https://www.eetimes.com/emerging-memories-look-to-displace-nor-sram/

 



2021年09月01日

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