SCM又添一个纯国产SSD玩家
计算与存储之间，一直以来就有着密不可分的关系。随着计算数据量不断增大，内存的功耗容量问题和外存的速度问题日益凸显，这就需要一个能够同时 兼具DRAM性能和NAND FLASH容量优点的存储，SCM存储级存储应运而生。
最近国内的亿恒创源公司已经推出基于东芝XL-FLASH 的SCM介质的SSD，对标因特尔傲腾SSD。整个存储行业都在积极布局和关注SCM存储。
江苏时代全芯存储科技股份有限公司（AMT）专注于相变存储领域，首款相变产品即将在本月底亮相，基于PCM 特有的优秀的性能，AMT后期将推出基于PCM相变存储技术的SCM存储级存储。
内容摘取
在数字化变革的新时代，存储性能与计算性能的优化，对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。
SCM，即Storage Class Memory存储级内存，不仅享有DRAM的性能表现，同时拥有NAND Flash的容量优点，这样一类兼得DRAM 与NAND Flash优点的创新介质，具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。
显然，SCM在IO设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥，适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、 云计算等创新技术融合式应用发展的今天，SCM创新介质的出现，带来了计算存储前所未有的新改变，越来越备受业界的关注。
不过，在SCM领域，英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND表现非常积极，最近一次的新闻却将东芝存储器的XL-Flash推向了市场的前台。
在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(Flash Memory Summit)上，北京忆恒创源科技有限公司（Memblaze）在现场 展示了业界首款基于东芝XL-Flash的SCM闪存介质的NVMe SSD原型产品Memblaze PBlaze X26。
东芝存储器公开信息显示，XL-Flash的延迟不会超过5微秒，相比现在3D TLC闪存的50微秒左右延迟，拥有足足10倍的更佳表现。需 要指出的是，XL-FLASH的本质还是3D NAND，并且是SLC，从材料的角度XL-FLASH似乎并不属于上文谈到的SCM范畴，但是从延迟等 参数看确和SCM在同一量级。
所以也可以看到PBlaze X26超低延迟的效果。现场展示的PBlaze5 X26系列SSD原型产品，已能够实现低于10μs的4K随机写入延迟、 以及平均低至26μs的4K混合读写延迟。在市场定位上，这是一款明显与英特尔傲腾（Optane）SSD 对标的国产化SSD产品。（文：全球存储观察）
