应用材料公司助力面向物联网和云计算的新型存储器实现量产

摘自：电子产品世界

来源：http://www.eepw.com.cn/article/201907/402703.htm

2019年7月9日，加利福尼亚州圣克拉拉 - 应用材料公司今日宣布推出可实现大规模量产的创新型解决方案，旨在加速面向物联网(IoT)和云计算的新型存储器的工业应用进程。

图：应用材料公司Endura® Clover™MRAM PVD 系统 

几十年前所研制出且已大规模量产的存储器技术，包括DRAM、SRAM和闪存等，现已广泛应用于各种数字设备和系统中。而以MRAM、ReRAM和PCRAM为代表的新型存储器虽然能够带来独特的优势，但由于这些存储器均采用新型材料，至今很难实现大规模量产。应用材料公司今日推出的全新制造系统能够以原子级的精度沉积新型材料，从而解决生产这些新型存储器的核心难题。这些系统是应用材料公司迄今为止开发的最先进的系统，能够助力这些前景广阔的新型存储器实现可靠的工业规模量产。

面向云计算的ReRAM和PCRAM

随着当今的数据产生呈指数级增长，对于云数据中心中连接服务器和存储系统的数据路径，其速度和功耗也需要实现跨数量级的改进。ReRAM（阻性RAM）和PCRAM（相变RAM）是低功耗、高密度的高速非易失性存储器，可作为“存储级存储器”来填补服务器DRAM和存储器之间不断扩大的性价比差距。

PCRAM采用的是DVD光盘中常见的相变材料，通过将材料状态从非晶态更改为晶态对数据位进行编程。ReRAM和PCRAM与3D NAND存储器类似，同样呈3D结构排列，存储器制造商可以在更新换代过程中逐步增加层数，从而稳定地降低存储成本。ReRAM和PCRAM还有望实现和编辑多个电阻率中间形态，以便在每单个存储器单元中存储多位数据。

ReRAM和PCRAM的成本可以明显低于DRAM，并能够提供比NAND和硬盘驱动器更快的读取性能。应用材料公司专为PCRAM和ReRAM打造的Endura® Impulse™ PVD平台包含多达九个真空工艺反应腔，并集成了机载计量技术，能够对这些新型存储器中使用的多组分材料进行精确沉积和控制。

 AMT专注于PCM相变存储器市场，并与应用材料公司具有长期稳定的合作，相信在应材公司新的设备解决方案的帮助下，AMT生产技术将会日渐成熟成为世界领先的相变存储厂商。