美光DRAM和NAND Flash最新技术路线图公布

来源：全球半导体观察  链接：https://www.dramx.com/News/Memory/20190524-16625.html

美光近日在投资者大会发布了下一代存储技术路线，其中DRAM方面美光将持续推进1Znm DRAM技术，NAND flash方面，美光将会推出继96层3D NAND之后的128层3D NAND，为了赢得在成本功耗方面的优势，美光还将实现技术上从Floating Gate到Replacement Gate的过渡。值得注意的是除了DRAM和NAND flash之外，美光还提出了3D Xpoint方面的产品，这是其之前与因特尔共同研发的一项新技术，今年美光已经将此合资公司从因特尔手中买入，未来将是美光在新型存储器领域发力的一个重点方向，而3D Xpoint产品本身是依靠相变存储技术实现的一种新型存储技术。